縱觀全球半導體發(fā)展格局及行業(yè)動態(tài)！

什么是半導體，它是怎么分類的呢？下面一張圖描述的比較清楚：

我們常接觸的就是IC這部分，包括存儲芯片、CPU、GPU等，這部分占到半導體應用的80%，其余就包括光電元器件，比如相機上的CCD、激光雷達里的激光芯片等。非光學芯片有壓力傳感器，還有分立器件二極管等。大家常談到半導體，基本也集中IC這部分。

芯片的生產過程可分為設計、制造和封裝測試三個階段。

如果從細分來看，集成電路的制造卻是一件極為復雜的事情，包括非常復雜的物理、化學工序。

主要分為5個階段：晶圓（wafer）的制備、芯片的制造、芯片的檢測、芯片的封裝和驗收測試，整個產業(yè)鏈涉及非常廣泛。

下圖是一款手機芯片所對應的生產環(huán)節(jié)和相關生產廠家：

從全球半導體公司的營收來看，排名第一的是中國臺灣地區(qū)的臺積電，其次是美國英特爾和韓國三星，唯一擠進前25名的大陸公司，只有中芯國際。

正是中國半導體行業(yè)發(fā)展相對落后，對外依賴很強，這幾年，我們可以直觀的感受到美國對我國半導體行業(yè)的圍追堵截越來越嚴重。這也是我們在新聞里?？吹疥P于半導體芯片或設備禁運的消息。

在各方面的堵截下，這也導致了我國集成電路的發(fā)展受到限制，畢竟集成電路的發(fā)展是從設計軟件-原材料-加工設備等各方面的高度集成，技術門檻高，哪一塊形成短板，都會對整個生產環(huán)節(jié)造成影響。目前先進制程的14nm或16nm邏輯芯片在國內還無法完全量產。

而全球的半導體技術現(xiàn)在發(fā)展到了哪個階段了呢？

一、全球代工廠技術格局

3nm制程：

三星在2022年6月宣布量產采用環(huán)繞閘極(GAA)場效晶體管技術的3nm制程；

臺積電采用鰭式場效應晶體管(FinFET)的3nm制程，在2022年的12月開始量產；

英特爾的Intel 3節(jié)點于2023年底推出。

2nm/1nm制程：

三星2奈米2025年量產；

臺積電2奈米將于2025年量產，與3nm相比，可在相同功耗下提高10-15%執(zhí)行效能，在相同效能下則可降低25-30%功耗。另IEDM大會宣布2030年完成1奈米芯片量產。

英特爾不同團隊會分別設計Intel 20A和Intel 18A節(jié)點。Intel全力發(fā)展先進制程技術，將于4年(2021~2024)量產5個節(jié)點(Intel 7~Intel 18A)，并致力在2025年重新取得制程領先地位。

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二、全球NAND Flash技術格局

2022年~2023年NAND Flash大廠主流3D制程普遍將邁入200層以上世代。

在這個領域，基本是三星、海力士、美光三足鼎立，值得欣慰的是國內的長江存儲在NAND Flash也有了一席之地。

三星：2024年2月展示第9代V-NAND技術，具280層的1Tb（128GB）3D QLC NAND Flash。推測V10和V11上看430層 和570層。

SK海力士：2023年8月宣布，新321層堆棧4D NAND Flash 閃存樣品，預期2025年量產供貨。其321層堆棧1Tb TLC 4D NAND Flash較上一代238層512Gb提高約六成效能。美光：2022年5月宣布推出業(yè)界首款232層3D TLC NAND Flash 閃存，2022年底生產。初始容量為1Tb（128GB）。

鎧俠（Kioxia）與威騰電子（Western Digital）：2023年3月宣布推出最新NAND Flash內存產品，為218層3D結構。

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三、全球HBM技術格局

在HBM技術上，三星、海力士、美光都進入到了第五代，每一家在技術細節(jié)上有些差異。

備注：第一代(HBM)、第二代(HBM2)、第三代(HBM2E)、第四代(HBM3)、第五代(HBM3E)、第六代(HBM 4)。

SK海力士：2024年3月宣布HBM3E 8H（8層堆棧）量產，提供1.18TB/s帶寬，24GB容量，采用Advanced MR-MUF( Mass Reflow- Molded Underfill)技術讓芯片散熱性能提高10%。也向客戶提供HBM3E 12H（12層）樣品。

三星：2024年2月發(fā)表HBM3E 12H（12層堆棧），提供1.28TB/s帶寬，36GB容量。目前已送樣，預計2024上半年量產。采用熱壓非導電薄膜（TC NCF），讓12層與之前8層一樣高度，符合現(xiàn)有HBM封裝需求，三星不斷降低NCF材料 厚度，實現(xiàn)7μm芯片間隙。

美光：2024年2月宣布HBM3E 8H（8層堆棧）量產，提供1.2TB/s帶寬，24GB容量。將應用于輝達H200 Tensor Core GPU，預計2024 年第二季出貨。透過1β技術、先進直通硅晶穿孔(TSV)等創(chuàng)新，美光得以實現(xiàn)HBM3E。美光 2024年3月推出HBM3E 12H（12層堆棧）樣品，36GB容量。有望在2024年從HBM獲得數(shù)億美元的收入。

預計全球HBM3E在2024年Q1有小量，2024年Q4成為HBM主流(占HBM總出貨量超過50%)，HBM價格是一般DRAM的5倍左右，2023年全球HBM市場規(guī)模約40億美元，占DRAM 484億美元的8%左右，預估 2024年占比10%~15%

四、全球DRAM技術格局

在DRAM領域，有了中國大陸廠家的身影。

三星和海力士在高端EUV光刻機的協(xié)助下，進入到第六代1c階段。

備注：第一代1x(18~19nm)、第二代1y(17~18nm)、第三代1z(16~17nm)、第四代1α或1a(14~15nm)、第五代1β或 1b(12~13nm)、第六代1γ或1c(11~12nm)、第七代1δ或1d(10~11nm)。

1a制程美光領先：三星在1y制程世代以前，在技術上領先美光、SK海力士，并在1znm導入EUV機臺企圖領先競爭對手，但美光、SK海力 士延續(xù)采用DUV機臺，反而搶先三星量產1a(14nm制程)。

1b制程美光領先：美光于2022年Q4量產1bnm制程，并提供LPDDR5X跟DDR5的樣品，先在日本量產，接著臺灣也導入量產。SK海力士 在2023年量產1b DRAM。三星2023年也導入1b EUV制程，量產32Gb DDR5產品。

1c制程競爭激烈：美光臺中后里A3廠導入EUV設備成為1γ生產基地，預計2025年量產。三星計劃2024年底前將量產1c產品。SK海力士 2024年第3季將量產1c產品， DRAM三雄競爭相當激烈。

1d制程：三星說明2026年左右將量產1d產品、2027年之后將量產10奈米以下DRAM產品。

3D DRAM：三星2025年推出垂直通道晶體管(VCT)的3D DRAM初期版本，2030年推出將cell堆棧起來的堆棧式DRAM。SK海力士和美 光也都有在研究這項技術，但尚未公布任何3D DRAM roadmap。

從這些先進半導體公司的技術布局來看，國內的半導體制造能力還相對落后，即使在這樣落后的情況下，美國依然對我國的芯片行業(yè)進行各方面圍堵。

為什么美國要這樣打擊我國的半導體行業(yè)呢？

半導體行業(yè)就是贏者通吃的局面，這就要從美國在芯片行業(yè)的產業(yè)布局來看。

從2023年全球半導體產業(yè)來看，美國占比39%，中國臺灣地區(qū)占比17%，中國大陸地區(qū)占比8%。

有人覺得我們國家這幾年發(fā)展半導體行業(yè)，全球市場應該有較大的提升了，其實市場份額并沒有想象中的那么高。

而且美國國內半導體行業(yè)分布相對平均，并沒有出現(xiàn)明顯的短板。特別是在半導體制造的前端IC設計上，有明顯優(yōu)勢。

即使在這樣不利的局面下，我國半導體行業(yè)也取得了明顯的進步。在半導體的細分領域，雖然目前以美、日、韓占主導地位，國內半導體企業(yè)一點一點的發(fā)育，也取得了一席之地。

在過去艱難的一年，伴隨著國家對半導體行業(yè)的支持，我國在半導體產能提升方面位列全球第一。

中國大陸產能第一(占比27%)：主要以8吋以下的成熟制程為主，先進制程主要是靠內存外商， 如三星和SK海力士等。2024年 也是產能成長最快速的地區(qū)，成長13%也是第一名。

中國臺灣第二(占比18%) ：其先進制程主要是晶圓代工，2024年產能擴張速度6% 。

韓國第三(占比16%) ：其先進制程主要是內存，如DRAM和NAND Flash。再來是晶圓代工。2024年產能擴張4% 。

日本第四(占比15%)：成熟制程和OSD比重高，2024年產能擴張速度緩和（2%）。

美洲第五(占比10%) ：成熟制程比重高，2024年產能擴張速度6%。

歐洲第六(占比9%) ：成熟制程和OSD比重高，2024年產能擴張速度緩和（4%）。

從這些數(shù)據(jù)來看，我國的半導體行業(yè)發(fā)展任重道遠，半導體從業(yè)者也要兢兢業(yè)業(yè)，為行業(yè)的發(fā)展盡一份力！

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